一、考试的总体要求

掌握光电导探测器件的光电转换机理及光敏电阻的器件结构、工作原理和特性。掌握结型光电探测器的光电转换机理，基本结构及工作原理；掌握光电池、光电二极管与光电三极管的光谱响应、转换效率、噪声、光生载流子产生及输运的物理过程与物理图像。掌握光电发射器件的光电转换机理、基本结构、工作原理，光电倍增管的主要特性和参数。掌握CCD电荷产生、注入、传输、读出及其基本电路结构、CCD主要电学特性；掌握电荷输运的物理过程、物理图像、寄生效应与器件物理关系；掌握CCD 和CMOS 图像传感器的基本结构和工作原理。

二、考试的内容及比例

（一）光电导探测器（20%）

1、光电子器件的基本特性

2、光电导探测器原理

3、光敏电阻的特点、结构与特性

（二）结型光电探测器（30%）

1、光生伏特效应

2、光电池的结构与特性

3、光电二极管的结构、原理与特性，包括P结型、PIN型和APD型

4、光电三极管的结构与工作原理

（三）光电阴极与光电倍增管（20%）

1、光电发射过程与阴极材料（多碱阴极与负电子亲和势光电阴极）

2、真空光电管的原理与特性

3、光电倍增管的结构、原理与特性

（四）CCD和CMOS成像器件（30%）

1、电荷耦合器件的基本原理

2、电荷耦合器件基本结构

3、CCD的主要特性

4、电荷耦合成像器件

5、CMOS型成像器件的像素构造

三、考试题型及比例

考试满分150分，包含多种题型，其中名词解释约30分、简答题约60分、论述与综合分析题约60分。

四、考试形式及时间

1、考试形式为笔试，考生无需携带计算器参加考试。

2、本科目考试时间为 3 小时，具体考试时间以《准考证》为准。